формула для расчета плотность потока мощности насыщения

Расчет эволюции кластеров радиационных дефектов с учетом диффузии и некоторых вторичных процессов

РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ N 9, 200 7

КЛАСТЕРОВ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ С УЧЕТОМ ДИФФУЗИИ И НЕКОТОРЫХ ВТОРИЧНЫХ ПРОЦЕССОВ

микроструктур РАН,

Получена 26 мая 2007 г.

В настоящей работе проведен анализ эволюции

концентрации точечных дефектов при ионном облучении твердых тел. Предложена

приближенная аналитическая методика для ее описания с учетом диффузии и некоторых

вторичных процессов (рекомбинация точечных дефектов и образование дивакансий).

Расчеты произведены с учетом дискретного во времени и пространстве попадания

source